标准详情
SJ 20750-1999《军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范》基本信息
标准号：SJ 20750-1999
中文名称：《军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范》
发布日期：1999-11-10
实施日期：1999-12-01
发布部门：中华人民共和国信息产业部
归口单位：中国电子技术标准化研究所
起草单位：电子工业部第四十六研究所
起草人：张忆延、段曙光、刘峰
中国标准分类号：L5971
SJ 20750-1999《军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范》介绍
中华人民共和国信息产业部于1999年11月10日发布了SJ 20750-1999《军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范》（以下简称“本标准”），并于同年12月1日起正式实施。
一、标准适用范围
本标准规定了军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片的要求，适用于研制、生产、检验和验收军用CMOS电路用的硅单晶片。通过对硅单晶片的抗辐射性能进行规范，以满足军用电子设备在极端环境下的可靠性需求。
二、硅单晶片性能要求
1、晶体质量：硅单晶片应具有高纯度、高完整性的晶体结构，以保证CMOS电路的稳定性和可靠性。
2、抗辐射性能：硅单晶片应具有良好的抗辐射性能，能够在高辐射环境下正常工作。
3、电学性能：硅单晶片的电学性能应满足CMOS电路的设计要求，包括载流子浓度、电阻率等参数。
4、机械性能：硅单晶片应具备良好的机械性能，以适应CMOS电路的封装和使用。
三、硅单晶片生产过程要求
1、生产环境：硅单晶片的生产应在无尘、无静电、恒温恒湿的环境中进行，以保证晶体质量。
2、原材料：硅单晶片的生产应使用高纯度的硅材料，以保证晶体的纯度和完整性。
3、生产工艺：硅单晶片的生产应采用先进的生产工艺，包括晶体生长、切割、研磨、抛光等环节。
4、质量控制：硅单晶片的生产过程中应进行严格的质量控制，确保产品性能符合标准要求。
四、硅单晶片检验与验收
1、检验项目：硅单晶片的检验项目包括晶体质量、抗辐射性能、电学性能和机械性能等方面。
2、检验方法：硅单晶片的检验应采用科学、准确的检验方法，包括物理、化学、电学等检测手段。
3、验收标准：硅单晶片的验收应根据本标准的要求进行，确保产品性能满足设计要求。
4、质量记录：硅单晶片的生产、检验和验收过程中应建立完整的质量记录，以便于追溯和改进。
SJ 20750-1999《军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范》的发布和实施，对于提高我国军用电子设备的抗辐射性能和可靠性具有重要意义。相关企业和研究机构应严格按照本标准进行硅单晶片的生产、检验和验收，以确保军用CMOS电路的高性能和高可靠性。
