GB/T 43493.2-2023《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》

GB/T 43493.2-2023《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》基本信息

标准号：GB/T 43493.2-2023

中文名称：《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》

发布日期：2023-12-28    

实施日期：2024-07-01

发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会    

提出单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)    

起草单位：河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司等

起草人：芦伟立、房玉龙、李佳、张冉冉、李丽霞、杨青、殷源、刘立娜、张建峰、李振廷、徐晨、宋生、张永强、钮应喜、金向军、毛开礼、丁雄杰、刘薇、周少丰、庄建军、乐卫平、周翔、夏俊杰、陆敏、郑隆结、薛联金    

中国标准分类号：L90电子技术专用材料

国际标准分类号：31.080.99其他半导体器件

GB/T 43493.2-2023《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》介绍

国家市场监督管理总局和国家标准化管理委员会联合发布了GB/T 43493.2-2023《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》（以下简称“本标准”）。本标准于2023年12月28日发布，预计将于2024年7月1日正式实施。

一、标准规定内容

1、适用范围

本标准明确了其适用范围，即适用于功率器件用碳化硅同质外延片的缺陷无损检测。这包括了对碳化硅同质外延片中可能存在的各种缺陷进行识别和判据的确定。

2、术语和定义

标准中对相关的专业术语和定义进行了详细说明，以确保在检测过程中使用的术语具有统一性和准确性。这有助于减少因术语理解差异而导致的检测误差。

3、检测方法

本标准详细规定了碳化硅同质外延片缺陷的光学检测方法，包括但不限于：

检测设备：规定了检测设备的技术要求和性能参数。

检测流程：明确了检测的具体步骤和操作流程。

缺陷分类：对碳化硅同质外延片中可能出现的缺陷进行了分类，并为每种缺陷提供了识别标准。

判据标准：为每种缺陷设定了具体的判据标准，以便于检测人员能够准确判断缺陷的性质和严重程度。

4、质量控制

标准还对检测过程中的质量控制提出了要求，包括检测环境、操作人员资质、检测记录和报告等方面，以确保检测结果的准确性和可靠性。

二、标准的意义

本标准的发布和实施，对于提升我国半导体器件行业的国际竞争力具有重要意义。它不仅有助于提高碳化硅同质外延片的质量，还能够促进相关检测技术的发展和创新，为半导体器件的可靠性和稳定性提供有力保障。

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