《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》执行标准号

“碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法”的标准号是：GB/T 30867-2014

GB/T 30867-2014《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会于2014-07-24发布，并于2015-02-01实施。

该标准的起草单位为中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院；起草人是丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。

“碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法”介绍

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种重要的半导体材料，广泛应用于高温、高压和高频率的电力电子器件。碳化硅单晶片厚度和总厚度的变化对器件的性能有着直接的影响，因而其测量方法至关重要。

为了精确测定碳化硅单晶片的厚度，通常采用机械或光学的方法。在机械方法中，利用精密的微米表或测微计直接接触晶体表面以获取厚度值。这种方法简单易行，但可能会对样品造成伤害并影响测量精度。另一种非接触式光学方法则是使用激光干涉仪或显微镜系统来测量，这些设备通过发射和接收光波来确定材料的厚度。

测试碳化硅总厚度变化的关键在于监测其在生产过程中或在不同环境条件下（例如温度变化或应力施加后）的物理尺寸改变。这可以通过定期将碳化硅晶片放置于精确的量度设备上进行检测来实现，从而确保产品质量的稳定性和可靠性。一些高端仪器如X射线衍射仪也可以用来分析晶片的内部结构及其对厚度变化的影响，为进一步的材料改良提供数据支持。

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