T/CIE 119-2021《半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序》

T/CIE 119-2021《半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序》基本信息

标准号：T/CIE 119-2021

中文名称：《半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序》

发布日期：2021-11-22    

实施日期：2022-02-01

发布部门：中国电子学会    

提出单位：中国电子学会可靠性分会    

归口单位：中国电子学会可靠性分会    

起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国民用航空适航审定中心、散裂中子源科学中心、西北核技术研究院、中国航发商用航空发动机有限责任公司、中国航空综合技术研究所

起草人：张战刚、雷志锋、黄云、郭雁泽、于全芝、梁天骄、郭红霞、赵振可、王春晓、陈宇、何玉娟、彭超、肖庆中    

中国标准分类号：L40半导体分立器件综合

国际标准分类号：31.080.01半导体器件综合

T/CIE 119-2021《半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序》介绍

中国电子学会于2021年11月22日发布了一项重要的行业标准——T/CIE 119-2021《半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序》。该标准将于2022年2月1日正式实施。

一、标准背景

1、子单粒子效应的重要性

子单粒子效应是指高能粒子（如中子）穿过半导体器件时，由于电荷沉积引起的瞬态电流，可能导致器件功能暂时或永久失效。这种现象在航空航天、核能、医疗等高辐射环境下尤为突出。

2、标准的制定需求

随着半导体技术的发展和应用领域的扩展，对器件的辐射耐受性要求越来越高。制定一套标准化的测试方法和程序，对于评估和提高半导体器件的辐射耐受性至关重要。

二、标准内容

1、试验方法

T/CIE 119-2021标准详细描述了半导体器件在大气中子辐射环境下的测试方法。这包括测试环境的搭建、辐射源的选择、测试参数的设定等。

2、试验程序

标准规定了从测试准备、样品安装、数据采集到结果分析的完整流程。每个步骤都有明确的操作指南和注意事项，以确保测试的准确性和可重复性。

3、评价标准

为了评估半导体器件的SEE性能，标准提出了一系列的评价指标和方法。这些指标包括但不限于器件的抗辐射能力、恢复时间、故障模式等。

三、实施意义

1、提高器件可靠性

通过标准化的SEE测试，可以更准确地评估半导体器件在实际辐射环境下的性能，从而指导设计和制造出更可靠的产品。

2、促进技术交流

统一的测试方法和程序有助于不同研究机构和企业之间的技术交流和合作，推动半导体器件辐射耐受性技术的发展。

3、规范市场行为

标准的实施有助于规范市场行为，提高产品质量，保护消费者权益。

四、未来展望

1、技术进步

随着科技的不断进步，未来的SEE测试方法可能会更加精确和高效。标准的持续更新将确保测试方法与技术发展同步。

2、国际合作

T/CIE 119-2021标准的实施也将促进国际间的技术交流和合作，推动全球半导体器件辐射耐受性技术的发展。

3、产业应用

随着标准的推广和应用，半导体器件在高辐射环境下的应用将更加广泛，为航空航天、核能等领域的发展提供有力支持。

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