SJ 50033/159-2002《半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范》

SJ 50033/159-2002《半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范》基本信息

标准号：SJ 50033/159-2002

中文名称：《半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范》

发布日期：2002-10-30    

实施日期：2003-03-01

发布部门：中华人民共和国信息产业部    

提出单位：中华人民共和国信息产业部    

归口单位：信息产业部电子第四研究所    

起草单位：中国电子科技集团公司第十三所

起草人：高颖、王于辉、崔波    

中国标准分类号：L40半导体分立器件综合

SJ 50033/159-2002《半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范》介绍

中华人民共和国信息产业部于2002年10月30日发布了SJ 50033/159-2002《半导体分立器件 3DG142型硅超高频低噪声晶体管详细规范》。本标准自2003年3月1日起正式实施。

一、标准适用范围

本标准规定了3DG142型硅超高频低噪声晶体管的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存等方面的内容。适用于3DG142型硅超高频低噪声晶体管的设计、生产、检验和使用。

二、产品分类

根据本标准，3DG142型硅超高频低噪声晶体管按照其封装形式和特性参数进行分类。具体分类如下：

1、封装形式：分为塑料封装和金属封装两种。

2、特性参数：包括频率特性、噪声特性、功率特性等。

三、技术要求

本标准对3DG142型硅超高频低噪声晶体管的技术要求进行了详细规定，主要包括以下几个方面：

1、频率特性：规定了晶体管的截止频率、增益-带宽积等参数的具体要求。

2、噪声特性：对晶体管的噪声系数、噪声指数等参数进行了明确要求。

3、功率特性：包括晶体管的集电极耗散功率、最大集电极电流等参数。

4、温度特性：规定了晶体管在不同温度下的工作条件。

四、试验方法

本标准对3DG142型硅超高频低噪声晶体管的试验方法进行了详细规定，包括：

1、频率特性试验：采用特定的测试设备和方法，测试晶体管的频率特性。

2、噪声特性试验：通过特定的噪声测试设备，测量晶体管的噪声系数和噪声指数。

3、功率特性试验：测试晶体管在不同条件下的功率特性，包括集电极耗散功率和最大集电极电流。

4、温度特性试验：在不同温度条件下，测试晶体管的性能变化。

五、检验规则

本标准规定了3DG142型硅超高频低噪声晶体管的检验规则，包括：

1、型式检验：对新产品或改进后的产品进行型式检验，以验证其性能是否符合标准要求。

2、例行检验：对批量生产的产品进行例行检验，确保产品质量的稳定性。

3、抽样方法：明确了抽样的数量和方法，以保证检验结果的代表性。

六、标志、包装、运输和储存

本标准对3DG142型硅超高频低噪声晶体管的标志、包装、运输和储存进行了规定，以确保产品在流通过程中的完整性和安全性。具体要求包括：

1、标志：产品上应有清晰的型号、规格等信息。

2、包装：产品应采用适当的包装材料和方法，防止运输过程中的损坏。

3、运输：产品在运输过程中应遵循相关运输规定，确保安全。

4、储存：产品应储存在干燥、阴凉的环境中，避免受潮、高温等不利因素影响。

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