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“锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法”的标准号是：GB 11297.7-1989
GB 11297.7-1989《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由中华人民共和国机械电子工业部于1988-10-09发布，并于1990-01-01实施。
该标准的起草单位为航天工业部8358研究所和机械电子工业部第十一研究所；起草人是徐向东、尹洁。
“锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法”介绍
锑化铟（InSb）单晶由于其具有优异的物理性质，例如窄能带间隙、大的电子迁移率以及强的磁敏性能等，被广泛应用于红外探测、霍尔效应设备和磁阻传感器等领域。为了评估这些器件的性能，测量其电阻率和霍尔系数是至关重要的。在测试锑化铟单晶的电阻率时，通常会采用四探针方法，该方法能够准确测得材料的电阻值，并进一步计算出电阻率，这需要样品表面有良好的接触以及均匀分布的电流输入。
霍尔系数的测试则是通过将材料置于垂直于电流方向的磁场中进行。通过测量霍尔电压——即在材料侧面产生的电势差，可以推导出载流子浓度和类型，从而获得霍尔系数。这一过程要求精确地控制和测量磁场强度、测试电流以及产生的霍尔电压。
综合这些测试方法，研究人员能够对锑化铟单晶的质量进行评估，并预测其在各类电子设备中的应用性能。正确的测试协议和精准的仪器操作对于确保数据可靠性和有效性非常重要。
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