SJ/T 11493-2015《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》

SJ/T 11493-2015《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》基本信息

标准号：SJ/T 11493-2015

中文名称：《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》

发布日期：2015-04-30    

实施日期：2015-10-01

发布部门：中华人民共和国工业和信息化部    

SJ/T 11493-2015《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》介绍

SJ/T 11493-2015《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》是由中华人民共和国工业和信息化部发布的一项国家标准。该标准自2015年10月1日起正式实施。

一、标准适用范围

SJ/T 11493-2015标准适用于硅衬底中氮浓度的测量，包括硅单晶、硅多晶、硅片等硅材料。该标准规定了氮浓度的测量范围、测量误差、测量精度等要求，为硅材料的质量和性能提供了可靠保障。

二、标准主要内容

1、测量原理

SJ/T 11493-2015标准采用二次离子质谱技术（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）进行硅衬底中氮浓度的测量。该技术具有高灵敏度、高分辨率、无损检测等优点，能够准确测量硅衬底中氮的含量。

2、测量范围

标准规定了硅衬底中氮浓度的测量范围为1×10^15 cm^-3至1×10^20 cm^-3。这一范围涵盖了硅材料中氮浓度的常见值，能够满足不同硅材料的测量需求。

3、测量误差

SJ/T 11493-2015标准对测量误差进行了严格规定，要求测量结果的相对误差不超过10%。这一规定确保了测量结果的准确性和可靠性。

4、测量精度

标准还对测量精度提出了要求，要求测量结果的重复性误差不超过5%。这一规定保障了测量结果的一致性和可重复性。

5、测量条件

SJ/T 11493-2015标准对测量条件进行了详细规定，包括样品的制备、测量仪器的校准、测量环境的控制等。这些规定有助于提高测量的准确性和稳定性。

三、标准实施意义

1、提高硅材料质量

SJ/T 11493-2015标准的实施，有助于提高硅材料的质量，确保硅材料中氮浓度的准确性和稳定性。这对于硅材料的研发、生产和应用具有重要意义。

2、促进硅材料产业发展

标准的实施有助于规范硅材料产业的发展，提高硅材料产业的整体水平。这对于推动我国硅材料产业的健康发展具有积极作用。

3、提升国际竞争力

SJ/T 11493-2015标准的实施，有助于提升我国硅材料产业的国际竞争力。通过采用国际先进的测量技术和方法，我国硅材料产业能够更好地满足国际市场的需求。

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