SJ/T 2658.13-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数》

SJ/T 2658.13-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数》基本信息

标准号：SJ/T 2658.13-2015

中文名称：《半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数》

发布日期：2015-10-10    

实施日期：2016-04-01

发布部门：中华人民共和国工业和信息化部    

SJ/T 2658.13-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数》介绍

《半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数》由中华人民共和国工业和信息化部发布，并于2016年4月1日正式实施。

一、标准适用范围

本标准适用于半导体红外发射二极管的温度系数测量。通过测量辐射功率随温度变化的系数，可以评估二极管在不同温度下的性能表现，为红外发射二极管的应用提供重要参考。

二、术语和定义

本标准对相关术语进行了明确定义，包括“半导体红外发射二极管”、“辐射功率温度系数”等。其中，“半导体红外发射二极管”是指利用半导体材料的电-光转换原理，将电能转换为红外辐射能量的器件；“辐射功率温度系数”是指在一定温度范围内，辐射功率随温度变化的比率。

三、测量原理

本标准采用光电转换原理进行测量。通过测量二极管在不同温度下的辐射功率，计算辐射功率温度系数。测量过程中，需要控制二极管的工作电流恒定，以保证测量结果的准确性。

四、测量设备和条件

本标准对测量设备和条件提出了具体要求。测量设备包括温度控制设备、辐射功率测量仪器等。测量过程中，需要保证环境温度稳定，避免外部因素对测量结果的影响。

五、测量步骤和方法

本标准详细规定了测量步骤和方法。将二极管置于温度控制设备中，按照规定的温度范围进行加热或冷却。测量二极管在不同温度下的辐射功率，并记录数据。根据测量数据计算辐射功率温度系数。

六、数据处理和结果表示

本标准对数据处理和结果表示提出了具体要求。数据处理过程中，需要剔除异常数据，采用合适的数学方法进行拟合。结果表示时，应明确给出辐射功率温度系数的数值和误差范围。

七、质量控制和记录

本标准要求测量过程中应进行严格的质量控制，确保测量结果的准确性和可靠性。应对测量过程和结果进行详细记录，以便于后续分析和追溯。

八、标准的意义和应用

本标准的制定和实施，对于提高半导体红外发射二极管的性能评估和质量控制具有重要意义。通过测量辐射功率温度系数，可以更好地了解二极管在不同温度下的性能表现，为红外发射二极管的应用提供重要参考。本标准也为红外发射二极管的生产和检测提供了统一的技术规范，有助于提高产品质量和市场竞争力。

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