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SJ/T 10626-1995《键合金丝中杂质素的ICP-AES测定方法》

SJ/T 10626-1995更新时间: 2025-04-10

标准详情

SJ/T 10626-1995《键合金丝中杂质素的ICP-AES测定方法》基本信息

标准号:SJ/T 10626-1995

中文名称:《键合金丝中杂质素的ICP-AES测定方法》

发布日期:1995-04-22    

实施日期:1995-10-01

发布部门:中华人民共和国电子工业部    

归口单位:电子工业部标准化研究所    

起草单位:电子工业部第46研究所

起草人:王春梅、张淑珍、段曙光    

中国标准分类号:A01技术管理

SJ/T 10626-1995《键合金丝中杂质素的ICP-AES测定方法》介绍

SJ/T 10626-1995《键合金丝中杂质素的ICP-AES测定方法》是中国电子工业部于1995年4月22日发布的一项行业标准,自1995年10月1日起实施。

一、标准适用范围

本标准适用于键合金丝中杂质元素的测定,包括但不限于铜、铁、镍、锌、铝、锡、铅、锑、铋、钴、镉、钛等元素。通过对键合金丝中杂质元素的准确测定,可以确保键合过程的稳定性和可靠性,提高电子元器件的性能。

二、标准主要内容

1、术语和定义

标准对键合金丝、杂质元素、ICP-AES等术语进行了定义,明确了相关概念和含义,为标准的理解和实施提供了基础。

2、方法原理

ICP-AES(感应耦合等离子体原子发射光谱)是一种原子发射光谱分析方法,通过将样品引入到等离子体中,使样品原子激发并发射特征光谱,通过测量光谱的强度来确定样品中元素的含量。

3、仪器设备

标准规定了ICP-AES测定所需的仪器设备,包括感应耦合等离子体原子发射光谱仪、样品前处理设备等,并对仪器的参数和性能提出了要求。

4、样品制备

标准详细描述了键合金丝样品的制备过程,包括样品的采集、制备、储存等环节,以确保样品的代表性和可追溯性。

5、分析步骤

标准规定了键合金丝中杂质元素的ICP-AES测定的具体步骤,包括样品的稀释、标准曲线的制备、测定条件的选择、测量结果的计算等,为实验操作提供了详细的指导。

6、结果计算与表达

标准对测量结果的计算方法和表达方式进行了规定,包括测定结果的准确度、精密度、检出限等指标,以及结果的表示和报告方式。

三、标准实施意义

SJ/T 10626-1995《键合金丝中杂质素的ICP-AES测定方法》的实施,对于提高键合金丝的质量和性能具有重要意义。通过准确测定键合金丝中杂质元素的含量,可以有效地控制和优化键合过程,提高电子元器件的可靠性和稳定性,促进电子工业的发展。

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