SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》

SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》基本信息

标准号：SJ/T 11501-2015

中文名称：《碳化硅单晶晶型的测试方法》

发布日期：2015-04-30    

实施日期：2015-10-01

发布部门：中华人民共和国工业和信息化部    

SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》介绍

中华人民共和国工业和信息化部于2015年4月30日发布了SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》标准，并自2015年10月1日起正式实施。

一、标准概述

SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》是一项针对碳化硅单晶材料的测试方法标准，它规定了碳化硅单晶的晶体结构、晶型、缺陷以及电学性质等方面的测试方法。该标准旨在为碳化硅单晶的科研、生产和应用提供统一的测试指导，以促进材料性能的优化和产品质量的提升。

二、晶体结构与晶型的测试

1、晶体结构的测定

标准详细规定了晶体结构的测定方法，包括X射线衍射、电子衍射等技术手段。这些方法能够帮助研究人员准确测定碳化硅单晶的晶体结构参数，如晶格常数、晶体对称性等。

2、晶型的判别

对于晶型的判别，标准提出了多种测试手段，如光学显微镜、扫描电子显微镜等。这些方法能够直观地观察到碳化硅单晶的晶型特征，如晶面的取向、晶界的分布等。

三、晶体缺陷的测试

1、微缺陷的检测

标准规定了微缺陷如位错、堆垛层错等的检测方法，这些缺陷对碳化硅单晶的电学和热学性能有着重要影响。通过透射电子显微镜等技术，可以对这些微缺陷进行定量分析。

2、宏观缺陷的评估

对于宏观缺陷，如裂纹、孔洞等，标准提出了相应的评估方法，以确保碳化硅单晶的完整性和可靠性。

四、电学性质的测试

1、电阻率的测量

标准规定了电阻率的测量方法，包括四点探针法和范德堡法等。电阻率是评价半导体材料导电性的重要指标，对碳化硅单晶的应用至关重要。

2、载流子浓度的测定

载流子浓度的测定对于理解碳化硅单晶的电学行为至关重要。标准提出了霍尔效应法和电容-电压法等测定方法，以准确测量载流子的浓度和类型。

五、标准的意义与应用

SJ/T 11501-2015《碳化硅单晶晶型的测试方法》的发布和实施，对于推动我国碳化硅单晶材料的研究、生产和应用具有重要意义。不仅为碳化硅单晶的质量控制提供了科学的测试方法，还有助于提升我国在高端半导体材料领域的竞争力。

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