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“军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范”的标准号是：SJ 20750-1999
SJ 20750-1999《军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范》由中华人民共和国信息产业部于1999-11-10发布，并于1999-12-01实施。
该标准的起草单位为电子工业部第四十六研究所；起草人是张忆延、段曙光、刘峰 。
“军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范”介绍
军用CMOS（互补金属氧化物半导体）电路由于其在极端环境下的可靠性要求，对使用的硅单晶片有着严格的抗辐射性能标准。这种硅单晶片规范主要围绕提高器件在辐射环境中的稳定性与耐用性设计，确保军用电子设备在受到高能粒子或射线影响时仍能正常工作，减少因辐射引起的故障率。
抗辐射硅单晶片的制造过程中采用了特殊工艺来降低材料对辐射的敏感性，包括采用特定的掺杂剂以及改进的晶体生长技术来优化晶体结构，减少缺陷和提升电荷载体的重组效率。这些单晶片通常还会经过一系列的测试，以确保它们满足军用标准中对辐射硬度的要求，这包括对γ射线、中子和其他类型辐射的耐受能力评估。
通过实施这些规范，军用CMOS电路能够在卫星通信系统、航天飞行器以及其他可能遇到强辐射环境的军事应用中，保持较高的操作可靠性和数据完整性。这对于保障军事任务的成功执行具有至关重要的意义。
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