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SJ/T 2658.2-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压》

SJ/T 2658.2-2015更新时间: 2025-03-06

标准详情

SJ/T 2658.2-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压》基本信息

标准号:SJ/T 2658.2-2015

中文名称:《半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压》

发布日期:2015-10-10    

实施日期:2016-04-01

发布部门:中华人民共和国工业和信息化部    

SJ/T 2658.2-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压》介绍

《半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压》(SJ/T 2658.2-2015)是由中华人民共和国工业和信息化部发布的标准,该标准规定了半导体红外发射二极管的正向电压测量方法。

一、标准适用范围

SJ/T 2658.2-2015标准适用于半导体红外发射二极管的正向电压测量。半导体红外发射二极管是一种广泛用于通信、医疗、工业等领域的光电器件,其正向电压是衡量其性能的重要指标之一。

二、测量条件

标准规定了半导体红外发射二极管正向电压测量的条件,包括环境条件、测量设备及仪器、测量方法等。环境条件要求室温为25±2℃,相对湿度不大于80%。测量设备及仪器应符合标准要求,包括电流源、电压表、温度计等。

三、测量方法

SJ/T 2658.2-2015标准规定了半导体红外发射二极管正向电压的测量方法,包括测量前的准备、测量步骤、数据处理等。测量前的准备包括样品的选取、设备及仪器的校准等。测量步骤包括接线、测量电流、测量电压等。数据处理包括计算正向电压、判断测量结果的准确性等。

四、测量结果的表示

标准规定了半导体红外发射二极管正向电压测量结果的表示方法,包括结果的单位、数值、有效数字等。测量结果应以伏特(V)为单位,数值应保留到小数点后两位。有效数字应根据测量误差确定。

五、测量误差

SJ/T 2658.2-2015标准规定了半导体红外发射二极管正向电压测量误差的要求,包括允许误差、误差来源等。允许误差应不大于±0.5%。误差来源包括设备误差、环境误差、操作误差等。

六、重复性和再现性

标准还规定了半导体红外发射二极管正向电压测量的重复性和再现性要求。重复性要求同一样品在相同条件下测量结果的相对偏差不大于±0.5%。再现性要求不同样品在相同条件下测量结果的相对偏差不大于±1%。

SJ/T 2658.2-2015《半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压》标准为半导体红外发射二极管的正向电压测量提供了详细的规定和指导。通过遵循该标准,相关企业和技术人员可以更准确地测量半导体红外发射二极管的正向电压,从而更好地评估其性能,提高产品质量。

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