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SJ 50033/126-1997《半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范》

SJ 50033/126-1997 更新时间: 2024-10-05

标准详情

SJ 50033/126-1997《半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范》基本信息

标准号:SJ 50033/126-1997

中文名称:《半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范》

发布日期:1997-06-17

实施日期:1997-10-01

发布部门:中华人民共和国电子工业部

提出单位:中华人民共和国电子工业部

归口单位:中国电子技术标准化研究所

起草单位:济南半导体元件实验室

起草人:朱志光、贾惠蓉

中国标准分类号:L5961

SJ 50033/126-1997《半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范》介绍

SJ 50033/126-1997《半导体分立器件2DK13型硅肖特基开关整流二极管详细规范》是由中华人民共和国电子工业部发布的一项标准,于1997年6月17日正式发布,并于同年10月1日正式实施。

一、产品概述

2DK13型硅肖特基开关整流二极管是一种半导体器件,主要用于整流、开关等电路中。其具有体积小、重量轻、功耗低、响应速度快等优点,在电子设备中得到了广泛的应用。

二、性能指标

1、最大整流电流:标准规定,2DK13型硅肖特基开关整流二极管的最大整流电流应不小于30A。

2、反向击穿电压:标准规定,2DK13型硅肖特基开关整流二极管的反向击穿电压应不小于1000V。

3、正向压降:标准规定,在最大整流电流下,2DK13型硅肖特基开关整流二极管的正向压降应不大于1.1V。

4、反向恢复时间:标准规定,2DK13型硅肖特基开关整流二极管的反向恢复时间应不大于50ns。

三、测试方法

1、外观检查:对产品的外观进行目视检查,确保产品表面无明显缺陷。

2、电性能测试:对产品的电性能指标进行测试,包括最大整流电流、反向击穿电压、正向压降、反向恢复时间等。

3、温度特性测试:对产品在不同温度下的性能进行测试,以评估其温度稳定性。

4、耐久性测试:对产品进行长时间的工作测试,以评估其耐久性。

四、质量要求

1、产品应符合标准规定的性能指标要求。

2、产品的外观应无明显缺陷,符合标准规定的要求。

3、产品在规定的测试条件下,应表现出良好的稳定性和耐久性。

4、产品的生产过程应符合国家有关质量管理体系的要求。

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