标准详情
“硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法”的标准号是：YS/T 23-2016
YS/T 23-2016《硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法》由中华人民共和国工业和信息化部于2016-04-05发布，并于2016-09-01实施。
该标准的起草单位为南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司；起草人是马林宝、杨帆、葛华、刘小青、孙燕、徐新华 。
“硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法”介绍
硅外延层厚度测定的堆垛层错尺寸法是一种利用晶体结构缺陷来评估半导体材料特性的技术。在硅单晶生长过程中，可能会产生堆垛层错这种特殊的晶体缺陷。它们是由原子层面局部的错位造成的三维缺陷区域，这些区域的尺寸可以与外延层的厚度相关联。通过分析这些层错的形态和尺寸分布，可以获得关于外延层生长质量及其厚度的宝贵信息。
该方法通常涉及使用透射电子显微镜（TEM）等先进设备，对样品进行细致的微观结构表征。观察并测量堆垛层错的尺寸，进而推算外延层的厚度。由于层错尺寸与硅单晶的生长条件紧密相关，这种方法不仅可以用于测量厚度，还有助于优化生长过程，从而提高外延层的质量和一致性。
此方法的应用范围广泛，包括半导体制造、纳米技术研究以及材料科学等领域。它提供了一种非破坏性和精确度高的测量手段，使得研究者能够更好地理解和控制硅基材料的结构和电子属性，这对于高性能电子设备的生产至关重要。
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